项目名称： 基于二维材料异质结界面插层保护的单层Pb、Sn的制备及其界面性质的扫描隧道显微镜研究

项目编号： No.21403282

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 牛天超

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 25万元

中文摘要： 本课题利用石墨烯、二硫化钼、氮化硼等二维材料构建垂直堆叠异质结结构，将金属原子插层于异质结内，利用扫描隧道显微镜研究其插层机理,结合低温、磁场,与扫描隧道谱学研究界面对金属层电子态的影响。选择具有超导性质的铅、量子自旋霍尔绝缘体锡及其化合物作为插层材料，一方面通过衬底调控界面作用及原子排布，研究衬底对单层及多层铅的超导电性影响及超导机理分析；另一方面利用分子自组装结合界面插层方法对插层锡进行化学修饰，实现量子自旋霍尔态的有效调控;从而实现利用异质结封装的手段将单层金属进行界面保护，拓展该类材料在真实环境中的应用。本实验利用原位生长，原子层沉积与低温、磁场扫描隧道显微镜结合的手段，从原子尺度理解金属插层机理；通过制备具有可控缺陷位的表面层实现插层金属的界面均匀性。将发展一种通用的二维材料界面保护方法，拓展超导及拓扑绝缘体材料的广泛应用。

中文关键词： 石墨烯；插层；卤素键；界面；扫描隧道显微镜

英文摘要： In this project, we will synthesis two-dimensional heterostructures based on the vertical stacking of graphene, molybdenum disulfide and boron nitride. Furthermore, we use the scanning tunneling microscopy to reveal the intercalation mechanism of metal at

英文关键词： graphene；intercalation；Halogen bonding；Interface；Scanning tunneling microscopy